集成电路制造工艺
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作者： 史小波，曹艳编著
出 版 社： 电子工业出版社
出版时间： 2007-9-1字数： 256000版次： 1页数： 156印刷时间： 2007/09/01开本：印次：纸张： 胶版纸I S B N ： 9787121049705包装： 平装内容简介
本书共8章，介绍了集成电路的基本概念和背景知识，系统介绍了半导体材料、硅平面工艺流程、封装测试等内容。本书力求通俗易懂，突出实用性和可操作性，重点放在基本概念和基本方法的讲解上，并配有大量图片，同时针对初学者易出现的问题进行重点讲解。
本书可作为高职高专微电子及电子信息类专业的教学用书，也可作为有关技术人员学习集成电路制造工艺的参考资料。
目录
第1章概述
1.1集成电路的发展历程
1.1.1集成电路的由来
1.1.2摩尔定律之路
1.2集成电路的分类
1.2.1按器件导电类型分类
1.2.2按器件功能分类
1.3集成电路工艺基础
1.3.1集成电路的材料
1.3.2集成电路工艺基础
1.4集成电路的生产环境
习题
第2章半导体材料
2.1 晶体结构
2.2晶向与晶面
2.3 晶体中的缺陷和杂质
2.3.1 晶体中的缺陷
2.3.2晶体中的杂质
2.4单晶硅的制备
2.4.1 多晶硅的制备
2.4.2生长单晶硅
2.4.3单晶硅性能测试
2.5 晶圆加工
2.5.1外形整理
2.5.2切片
2.5.3倒角
2.5.4研磨
2.5.5抛光
2.5.6Wafer清洗
习题
第3章硅平面工艺流程
3.1双极型集成电路工艺流程
3.1.1 衬底制备
3.1.2生长埋层
3.1.3外延生长
3.1.4生长隔离区
3.1.5生长基区
3.1.6发射区及集电极接触区生长
3.1.7形成金属互连
3.2MOS工艺
3.3CMOS工艺
3.3.1CMOS集成电路
3.3.2CMOS工艺流程
3.4Bi-CMOS工艺
3.4.1 以CMOS工艺为基础的Bi-CMOS工艺
3.4.2 以双极工艺为基础的Bi-CMOS工艺
习题
第4章薄膜的制备
4.1氧化
4.1.1Si02的结构及性质
4.1.2Si02的用途
4.1.3热氧化法生长二氧化硅膜
4.1.4热分解淀积氧化膜
4.1.5热处理
4.1.6二氧化硅膜质量检测
4.2化学气相淀积
4.3外延生长
4.3.1外延生长
4.3.2外延层检测
4.4物理气相淀积
4.4.1蒸发
4.4.2溅射
习题
第5章光刻技术
5.1光刻材料及设备
5.1.1光刻胶
5.1.2光刻掩膜版
5.1.3曝光方式
5.2光刻工艺
5.2.1底膜处理
5.2.2涂胶
5.2.3前烘
5.2.4曝光
5.2.5显影
5.2.6坚膜
……
第6章掺杂技术
第7章金属化与平坦化
第8章芯片封装与装配技术
附录A术语表
参考文献
