Vishay推出新款小封装MOSFET/IGBT驱动器
Vishay正在向其光电子产品系列中添加一款0.5A MOSFET/IGBT驱动器，该器件的最大低电平输出电压为1.0V，因此无需使用负栅极驱动器。在一个封装中结合了高速光耦合器与 IGBT/MOSFET驱动器的隔离式解决方案——新型VO3150——在工业及消费类应用中非常适用于额定电压及电流分别高达为1200V及50A直接驱动的IGBT。
采用8引脚DIP封装的VO3150可节省终端产品中的板面空间，这些产品包括不间断电源、交流及无刷直流电动机驱动、工业逆变器、开关模式电源，以及等离子显示器面板。
该VO3150的高输出电压与正电源电压紧密匹配，因此与需要更高电源电压来提高DMOS或IGBT电源器件性能的应用中采用的其它MOSFET/IGBT驱动器相比，VO3150更具有优势。
该VO3150解决了电源半导体器件的常见问题，在这些器件中，当该器件以低于一般规定的20V的栅极-源极电压运行时，输出电压会向前漂移。为避免这种情况，一般规避方法是在栅极驱动输出位置使用分流电阻，这可防止电压向上漂移。由于VO3150没有展示同样的向上电压漂移，因此通过该器件可无需使用额外元件来补偿这种行为。
该VO3150具有5300Vrms的隔离电压，在1500V的VCM时，其共模拒绝最低为15kV/μs，典型为30kV/μs。通过以开关频率高于 16kHz(超出了人的听觉范围)的高带宽运行，该器件可降低终端产品的噪声。其最大传播延迟时间仅为 0.7μs，最大供电电流为7mA，并且具有15V～30V的宽阔工作电压范围，以及过压锁定保护。该器件的工业温度范围介于-40℃～+85℃。
目前，VO3150的样品和量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为6～8周。
