Vishay正在向其光电子产品系列中添加一款0.5A MOSFET/IGBT驱动器,该器件的最大低电平输出电压为1.0V,因此无需使用负栅极驱动器。在一个封装中结合了高速光耦合器与 IGBT/MOSF
Vishay近日推出新型500kHz半桥直流到直流控制器及同步整流器驱动器,这两款器件结合在一起,共同作为支持更高效25W~300W电信及计算机电源的芯片组。这款Si9122A半桥控制器及SiP112
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型Trench MOS肖特基势垒(TMBS)整流器,Vishay声称,其正向电压是迄今为止此类器件中最低的。
英飞凌科技(Infineon Technologies)日前推出了紧凑型IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块系列,为各种工业传动装置以及风车、电梯或辅助传动设备、机车与列车用电源及供暖系统传动装置提供优化
美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation) (美国纽约证券交易所上市代号:NSM)宣布推出一款功能齐备的低噪音白色发光二极管驱动器,为无线手机及其他便
凌特公司推出高度集成的 850kHz、低噪声、高效率 1x/1.5x/2x 多模式充电泵 LTC3209-1 和 LTC3209-2,以用于驱动蜂窝电话的主、相机和辅助 LED 显示屏。这两款器件每个
Zetex Semiconductors日前推出ZXM N/P 7系列沟道MOSFET,提供D类输出级所需的高效率、良好的散热效果及音频复制功能。这些N及P信道器件的额定电压为70V,设有SOT223
飞兆半导体(Fairchild)日前发布1200V/15A NPT-Trench IGBT:FGA15N120ANTD,在感应加热(IH)应用中可负荷高达300mJ雪崩能量。卓越的雪崩性能有助于确保在
文章分类: 科技新闻 智慧手机与平板的窜起,使针对这些行动装置的LPDDR2 RAM(Mobile DDR2)市场大为被看好,LPDDR主要供货商之一的三星也在最近宣布,将投入30nm制程的技术
Central Semiconductor公司日前推出一款温度补偿(TC)齐纳二极管CMKTC825A,它采用有助节省空间的ULTRAmini SOT-363表面封装,据称这是世界上首款采用塑料表面封