什么是内存延迟?
内存延迟
内存延迟基本上可以解释成是系统进入数据进行存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。
打个形象的比喻，就像你在餐馆里用餐的过程一样。你首先要点菜，然后就等待服务员给你上菜。同样的道理，内存延迟时间设置的越短，电脑从内存中读取数据的速度也就越快，进而电脑其他的性能也就越高。
这条规则双双适用于基于英特尔以及AMD处理器的系统中。由于没有比2-2-2-5更低的延迟，因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现0或者1的延迟。
通常情况下，我们用4个连着的阿拉伯数字来表示一个内存延迟，例如2-2-2-5。其中，第一个数字最为重要，它表示的是CAS Latency,也就是内存存取数据所需的延迟时间。第二个数字表示的是RAS-CAS延迟，接下来的两个数字分别表示的是RAS预充电时间和Act-to-Precharge延迟。而第四个数字一般而言是它们中间最大的一个。
如图所示，我们可以看到Crucial DDR333内存的延迟图表。通过这张图表，我们可以看出延迟数字所表示的含义。以最上面的CL=2的内存为例，图中分别有CAS2，CAS2.5以及CAS3三种延时。注意垂直的虚线，它表示的是时钟信号的上升沿或下降沿。由于这是一款DDR内存，因此，一个时钟周期内含有两个点。
CAS latency是注册读取命令到第一个输出数据之间的延迟。CAS latency的单位是时钟周期。
一块延迟设置为2-2-2-5的DDR内存，其性能要高出延迟为3-4-4-8的DIMM。这是因为前者接收到一条指令，找回数据以及送回数据的延迟要比后者要短。
体现在BIOS设置里，还有很多相关的选项：
在BIOS主界面的 Advanced Chipset Features 选项子界面中大家可以看到：
SDRAM Frequency
Configure SDRAM Timing by SPD
SDRAM CAS# Latency 简称CL
SDRAM RAS# Precharge 简称TRP
SDRAM RAS# to CAS# Delay 简称TRCD
SDRAM Precharge Delay 简称TRAS
SDRAM Burst Length 简称BL
具体在选项的描述上可能有差异，更多详细请参考附录1。
其实内存延迟的调节一定意义上也是超频的一种手段，但是它是在最低危险程度下根据内存的自身条件做出的调节，也就是说，在内存的反应程度上调节内存的工作的状态，叫它少休息，多工作，所以长期调整内存延迟对内存本身还有一定伤害的。事先声明，并非延迟越小内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大时其性能也最差，那么更加合理的配比参数成为了我们至关重要的一个环节。
