什么是电磁？
电磁感应
electromagnetic induction
因磁通量变化产生感应电动势的现象。1820年H.C.奥斯
特发现电流磁效应后，许多物理学家便试图寻找它的逆效应，
提出了磁能否产生电，磁能否对电作用的问题，1822年D.F.
J.阿喇戈和 A.von洪堡在测量地磁强度时，偶然发现金属对
附近磁针的振荡有阻尼作用。1824年，阿喇戈根据这个现象
做了铜盘实验，发现转动的铜盘会带动上方自由悬挂的磁针
旋转，但磁针的旋转与铜盘不同步，稍滞后。电磁阻尼和电
磁驱动是最早发现的电磁感应现象，但由于没有直接表现为
感应电流，当时未能予以说明。
1831年8月，M.法拉第在软铁环两侧分别绕两个线圈 ，
其一为闭合回路，在导线下端附近平行放置一磁针，另一与
电池组相连，接开关，形成有电源的闭合回路。实验发现 ，
合上开关，磁针偏转；切断开关，磁针反向偏转，这表明在
无电池组的线圈中出现了感应电流。法拉第立即意识到，这
是一种非恒定的暂态效应。紧接着他做了几十个实验，把产
生感应电流的情形概括为 5 类 ：变化的电流 ， 变化的磁场，
运动的恒定电流，运动的磁铁，在磁场中运动的导体，并把
这些现象正式定名为电磁感应。进而，法拉第发现，在相同
条件下不同金属导体回路中产生的感应电流与导体的导电能
力成正比，他由此认识到，感应电流是由与导体性质无关的
感应电动势产生的，即使没有回路没有感应电流，感应电动
势依然存在。
后来，给出了确定感应电流方向的楞次定律以及描述电
磁感应定量规律的法拉第电磁感应定律。并按产生原因的不
同，把感应电动势分为动生电动势和感生电动势两种，前者
起源于洛伦兹力，后者起源于变化磁场产生的有旋电场。
电磁感应现象是电磁学中最重大的发现之一，它显示了
电、磁现象之间的相互联系和转化，对其本质的深入研究所
揭示的电、磁场之间的联系，对麦克斯韦电磁场理论的建立
具有重大意义。电磁感应现象在电工技术、电子技术以及电
磁测量等方面都有广泛的应用。
电磁屏蔽原理
在电子设备及电子产品中，电磁干扰（Electromagnetic Interference）能量通过传导性耦合和辐射性耦合来进行传输。为满足电磁兼容性要求，对传导性耦合需采用滤波技术，即采用EMI滤波器件加以抑制；对辐射性耦合则需采用屏蔽技术加以抑制。在当前电磁频谱日趋密集、单位体积内电磁功率密度急剧增加、高低电平器件或设备大量混合使用等因素而导致设备及系统电磁环境日益恶化的情况下，其重要性就显得更为突出。
屏蔽是通过由金属制成的壳、盒、板等屏蔽体，将电磁波局限于某一区域内的一种方法。由于辐射源分为近区的电场源、磁场源和远区的平面波，因此屏蔽体的屏蔽性能依据辐射源的不同，在材料选择、结构形状和对孔缝泄漏控制等方面都有所不同。在设计中要达到所需的屏蔽性能，则需首先确定辐射源，明确频率范围，再根据各个频段的典型泄漏结构，确定控制要素，进而选择恰当的屏蔽材料，设计屏蔽壳体。
屏蔽体对辐射干扰的抑制能力用屏蔽效能SE（Shielding Effectiveness）来衡量，屏蔽效能的定义:没有屏蔽体时，从辐射干扰源传输到空间某一点(P)的场强 1（ 1）和加入屏蔽体后，辐射干扰源传输到空间同一点(P)的场强 2（ 2）之比，用dB（分贝）表示。
图1 屏蔽效能定义示意图
屏蔽效能表达式为 (dB) 或 （dB）
工程中，实际的辐射干扰源大致分为两类：类似于对称振子天线的非闭合载流导线辐射源和类似于变压器绕组的闭合载流导线辐射源。由于电偶极子和磁偶极子是上述两类源的最基本形式，实际的 辐射源在空间某点产生的场，均可由若干个基本源的场叠加而成(图2)。因此通过对电偶极子和磁偶极子所产生的场进行分析，就可得出实际辐射源的远近场及波阻抗和远、近场的场特性，从而为屏蔽 分类提供良好的理论依据。
图2 两类基本源在空间所产生的叠加场
远近场的划分是根据两类基本源的场随1/r（场点至源点的距离）的变化而确定的， 为远近场的分界点，两类源在远近场的场特征及传播特性均有所不同。
表1 两类源的场与传播特性
场源类型 近场（ ）
远场( )
场特性 传播特性 场特性 传播特性
电偶极子 非平面波 以 衰减
平面波 以 衰减
磁偶极子 非平面波 以 衰减
平面波 以 衰减
波阻抗 为空间某点电场强度与磁场强度之比，场源不同、远近场不同，则波阻抗也有所不同，表2与图3分别用图表给出了 的波阻抗特性。
表2 两类源的波阻抗
场源类型 波阻抗 （Ω）
近场（ ）
远场（ ）
电偶极子 120π
120π
磁偶极子 120π
120π
能量密度包括电场分量能量密度和磁场分量能量密度，通过对由同一场源所产生的电场、磁场分量的能量密度进行比较，可以确定场源在不同区域内何种分量占主要成份，以便确定具体的屏蔽分类。能量密度的表达式由下列公式给出:
电场分量能量密度
磁场分量能量密度
场源总能量密度
表3 两类源的能量密度
场源类型 能量密度比较
近场（ ）
远场（ ）
电偶极子
磁偶极子
表3给出了两种场源在远、近场的能量密度。从表中可以看出，两类源的近场有很大的区别，电偶极子的近场能量主要为电场分量，可忽略磁场分量；磁偶极子的近场能量主要为磁场分量，可忽略电场分量；两类源在远场时，电场、磁场分量均必须同时考虑。
屏蔽类型依据上述分析可以进行以下分类：
表4 屏蔽分类
场源类型 近场（ ）
远场（ ）
电偶极子（非闭合载流导线） 电屏蔽（包括静电屏蔽） 电磁屏蔽
磁偶极子（闭合载流导线） 磁屏蔽（包括恒定磁场屏蔽） 电磁屏蔽
电屏蔽的实质是减小两个设备（或两个电路、组件、元件）间电场感应的影响。电屏蔽的原理是在保证良好接地的条件下，将干扰源所产生的干扰终止于由良导体制成的屏蔽体。因此，接地良好及选择良导体做为屏蔽体是电屏蔽能否起作用的两个关键因素。
磁屏蔽的原理是由屏蔽体对干扰磁场提供低磁阻的磁通路，从而对干扰磁场进行分流，因而选择钢、铁、坡莫合金等高磁导率的材料和设计盒、壳等封闭壳体成为磁屏蔽的两个关键因素。
电磁屏蔽的原理是由金属屏蔽体通过对电磁波的反射和吸收来屏蔽辐射干扰源的远区场，即同时屏蔽场源所产生的电场和磁场分量。由于随着频率的增高，波长变得与屏蔽体上孔缝的尺寸相当，从而导致屏蔽体的孔缝泄漏成为电磁屏蔽最关键的控制要素。
屏蔽体的泄漏耦合结构与所需抑制的电磁波频率密切相关，三类屏蔽所涉及的频率范围及控制要素如表5所示：
表5 泄漏耦合结构与控制要素
屏蔽类型 磁屏蔽 电屏蔽 电磁屏蔽
频率范围 10kHz~500kHz 1MHz~500MHz 500MHz~40GHz
泄漏耦合结构 屏蔽体壳体 屏蔽体壳体及接地 孔缝及接地
控制要素 合理选择壳体材料 合理选择壳体材料
良好接地 抑制孔缝泄漏
良好接地
实际屏蔽体上同时存在多个泄漏耦合结构（n个），设机箱接缝、通风孔、屏蔽体壁板等各泄漏耦合结构的单独屏蔽效能（如只考虑接缝）为SEi（i=1,2,…，n），则屏蔽体总的屏蔽效能
由上式可以看出，屏蔽体的屏蔽效能是由
各个泄漏耦合结构中产生最大泄漏耦合的结构所决定的，即由屏蔽最薄弱的环节所决定的。因此进行屏蔽设计时，明确不同频段的泄漏耦合结构，确定最大泄漏耦合要素是其首要的设计原则。
在三类屏蔽中，磁屏蔽和电磁屏蔽的难度较大。尤其是电磁屏蔽设计中的孔缝泄漏抑制最为关键，成为屏蔽设计中应重点考虑的首要因素。
图4 典型机柜结构示意图
根据孔耦合理论，决定孔缝泄漏量的因素主要有两个：孔缝面积和孔缝最大线度尺寸。两者皆大，则泄漏最为严重；面积小而最大线度尺寸大则电磁泄漏仍然较大。
图4所示为一典型机柜示意图，上面的孔缝主要分为四类：
● 机箱（机柜）接缝
该类缝虽然面积不大，但其最大线度尺寸即缝长却非常大，由于维修、开启等限制，致使该类缝成为电子设备中屏蔽难度最大的一类孔缝，采用导电衬垫等特殊屏蔽材料可以有效地抑制电磁泄漏。
该类孔缝屏蔽设计的关键在于：合理地选择导电衬垫材料并进行适当的变形控制。● 通风孔
该类孔面积和最大线度尺寸较大，通风孔设计的关键在于通风部件的选择与装配结构的设计。在满足通风性能的条件下，应尽可能选用屏效较高的屏蔽通风部件。
● 观察孔与显示孔
该类型孔面积和最大线度尺寸较大，其设计的关键在于屏蔽透光材料的选择与装配结构的设计。
● 连接器与机箱接缝
这类缝的面积与最大线度尺寸均不大，但由于在高频时导致连接器与机箱的接触阻抗急剧增大，从而使得屏蔽电缆的共模传导发射变大，往往导致整个设备的辐射发射出现超标，为此应采用导电橡胶等连接器导电衬垫。
综上所述，孔缝抑制的设计要点归纳为：
● 合理选择屏蔽材料；
● 合理设计安装互连结构。
参考资料
http://www.c114.com.cn/qt/print.asp?id=10626
