射频微电子(翻译版)(国外大学优秀教材，微电子类系列)
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品牌: 拉扎维
基本信息·出版社：清华大学出版社
·页码：251 页
·出版日期：2006年
·ISBN：7302125139
·条形码：9787302125136
·包装版本：1
·装帧：平装
·开本：16开
·丛书名：国外大学优秀教材，微电子类系列
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内容简介《射频微电子》(翻译版)共分9章。第1章和第2章首先介绍了在射频电子学经常遇到的概念和术语，并给出评价射频电路性能的主要指标；第3章定义和描述了模拟信号和数字信号的调幅、调相和调频调制方法；第4章专门介绍3种在无线通信系统中通用的多路存取技术：FDMA，TDMA和CDMA，及几种常用的无线通信标准，如GSM和Qualcomm公司的CDMA；第5章是《射频微电子》(翻译版)的重点，讨论了无线前端收发器的结构和集成电路的实现；第6章至第9章详细讨论了低噪声放大器和混频器、振荡器、频率综合器和功放器的电路原理和分析方法。Behzad Razavi所著的RF Microelectronics一书既可供高年级大学生或研究生作教科书用，又可满足集成电路设计工作者进一步提高自身知识和设计技能之目的。相对其他RF CMOS电路的书籍，《射频微电子》(翻译版)的特点是系统级的介绍较为详细。即它将无线通信电路系统的描述、器件特性及单元电路分析融合在一起，使读者有一个完整的概念。
编辑推荐《射频微电子》(翻译版)讨论RF集成电路及系统的分析与设计。《射频微电子》(翻译版)通过用最通俗的语言来对射频电子学进行系统介绍，首先给出从微波到通信理论的必要的背景知识，然后引入RF接收发送器和电路的设计。书中从VLSI（超大规模集成电路）技术的单片实现出发，同时强调系统结构和电路级的课题。内容的处理主要集中在双极型和CMOS（互补金属氧化物半导体）设计，但是大多数概念也可以用到其他工艺技术。我们假定读者对模拟集成电路设计以及信号与系统的理论已有了一些基本了解。
目录
第1章 射频和无线技术简介1
1.1 复杂性比较1
1.2 设计瓶颈2
1.3 应用4
1.4 模拟与数字系统5
1.5 工艺技术的选择6
参考文献7
第2章 RF设计中的基本概念8
2.1 非线性与时变性8
2.1.1 非线性的影响11
2.1.2 级联非线性级17
2.2 符号间干扰19
2.3 随机过程和噪声22
2.3.1 随机过程22
2.3.2 噪声29
2.4 灵敏度与动态范围38
2.5 无源阻抗变换40
参考文献41
第3章 调制与解调43
3.1 概述43
3.2 模拟调制45
3.2.1 幅度调制45
3.2.2 相位调制与频率调制46
3.3 数字调制50
3.3.1 基本概念51
3.3.2 二进制调制58
3.3.3 正交调制64
3.4 调制技术的功率效率71
3.4.1 等幅包络与变幅包络信号71
3.4.2 频谱再增长72
3.5 非相干解调74
参考文献76
第4章 多址访问技术和无线通信标准77
4.1 移动射频通信77
4.2 多址访问技术81
4.2.1 时分和频分复用81
4.2.2 频分多址82
4.2.3 时分多址83
4.2.4 码分多址84
4.3 无线通信标准87
4.3.1 先进移动电话服务（AMPS）87
4.3.2 北美数字标准（NADS）88
4.3.3 移动通信全球系统（GSM）89
4.3.4 高通（Qualcomm）CDMA90
4.3.5 欧洲数字无绳电话（DECT）92
参考文献93
第5章 接收发送器结构94
5.1 概述94
5.2 接收器结构97
5.2.1 外差接收器97
5.2.2 零差接收器102
5.2.3 镜像抑制接收器109
5.2.4 数字中频接收器115
5.2.5 亚采样接收器116
5.3 发送器结构117
5.3.1 直接变换发送器120
5.3.2 两步发送器121
5.4 接收发送器的性能测试122
5.5 实例研究123
5.5.1 Motorola调频接收器123
5.5.2 Philips传呼机接收器124
5.5.3 Philips DECT接收发送器125
5.5.4 朗讯（Lucent）GSM接收发送器126
5.5.5 Philips GSM接收发送器127
参考文献128
第6章 低噪声放大器与混频器131
6.1 低噪声放大器131
6.1.1概述131
6.1.2 输入匹配134
6.1.3 双极型LNA136
6.1.4 CMOS LNA140
6.2 下变频混频器142
6.2.1 概述142
6.2.2 双极型混频器147
6.2.3 CMOS混频器151
6.2.4 混频器中的噪声153
6.3 级联级再讨论157
参考文献160
第7章 振荡器162
7.1 概述162
7.2 基本的LC振荡器拓扑164
7.3 电压控制（压控）振荡器167
7.4 相位噪声168
7.4.1 相位噪声在射频通信中的影响168
7.4.2 振荡器的Q值171
7.4.3 相位噪声机制172
7.4.4 噪声功率折衷关系176
7.4.5 分频与倍频对相位噪声的影响176
7.4.6 振荡器的牵引与推动177
7.5 双极型与CMOS LC振荡器178
7.5.1 负跨导（Gm）振荡器178
7.5.2 插值振荡器181
7.6 单片集成电感182
7.7 无谐振器的压控振荡器（VCO）184
7.8 正交信号产生184
7.8.1 RCCR网络185
7.8.2 Havens方法187
7.8.3 分频189
7.9 单边带信号生成189
参考文献190
第8章 频率综合器192
8.1 概述192
8.2 锁相环193
8.2.1 基本概念193
8.2.2 基本的锁相环196
8.2.3 电荷泵锁相环201
8.2.4 Ⅰ型和Ⅱ型锁相环205
8.2.5 锁相环中的噪声206
8.2.6 输入端的相位噪声207
8.2.7 压控振荡器的相位噪声207
8.2.8 倍频209
8.3 射频频率综合器结构209
8.3.1 整数N结构210
8.3.2 分数N结构215
8.3.3 双环路结构220
8.3.4 直接数字频率综合221
8.4 分频器225
8.4.1 二分频电路225
8.4.2 双模分频器227
参考文献229
第9章 功率放大器231
9.1 概述231
9.1.1 线性与非线性功率放大器233
9.2 功率放大器的分类234
9.2.1 A类和B类功率放大器234
9.2.2 C类功率放大器236
9.3 高效率功率放大器237
9.4 大信号阻抗匹配240
9.5 线性化技术243
9.5.1 前馈243
9.5.2 反馈244
9.5.3 包络消除及恢复245
9.5.4 采用非线性元件的线性放大（LINC）247
9.6 设计实例247
参考文献250
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