模拟电子技术基础(第4版)同步辅导及习题全解(高校经典教材同步辅导丛书，九章丛书)
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品牌: 于登峰
基本信息·出版社：中国水利水电出版社
·页码：298 页
·出版日期：2009年
·ISBN：7508463706/9787508463704
·条形码：9787508463704
·包装版本：4版
·装帧：平装
·开本：16
·正文语种：中文
·丛书名：高校经典教材同步辅导丛书，九章丛书
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内容简介《模拟电子技术基础(第4版)同步辅导及习题全解》是教材《模拟电子技术基础（第四版）》（清华大学电子学教研组编写，童诗白、华成英主编）的配套习题全程辅导用书。全书按教材内容，针对各章节全部习题给出详细解答，思路清晰、逻辑性强，循序渐进地帮助读者分析并解决问题。《模拟电子技术基础(第4版)同步辅导及习题全解》共11章，具体内容包括：常用半导体器件、基本放大电路、多级放大电路、集成运算放大电路、放大器的频率响应、放大电路中的反馈、信号的运算和处理、波形的发生和信号转换、功率放大电路、直流电源、模拟电子电路读图。每章内容都包括：重点内容提要、教材同步习题全解、自测题、习题、典型提高题。
《模拟电子技术基础(第4版)同步辅导及习题全解》可作为在校大学生和自考生学习“模拟电子技术基础”课程的教学辅导材料和复习参考用书及工科考研强化复习的指导书，也可作为教师的教学参考书。
编辑推荐《模拟电子技术基础(第4版)同步辅导及习题全解》知识点窍，逻辑推理，习题全解，全真考题，名师执笔，题型归类。
目录
前言
第一章常用半导体器件
重点内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第二章基本放大电路
重点内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第三章多级放大电路
重点内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第四章集成运算放大电路
重点内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第五章放大器的频率响应
重点内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第六章放大电路中的反馈
重点内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第七章信号的运算和处理
重点内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第八章 波形的发生和信号转换
重点内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第九章功率放大电路
重点内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第十章直流电源
重点内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第十一章模拟电子电路读图
重点内容提要
教材同步习题全解
习题
……[看更多目录]
序言“模拟电子技术基础”一直是大中专院校电子专业学生必修课程，其內容随着电子技术的发展而日趋丰富，这就产生了一个矛盾：一方面，学生因所修课程越来越多而导致课外时间减少；另一方面，因技术的进步又要求学生学习比以前更多的知识。
本书正是为了解决这一矛盾而精心编写的，它是教材《模拟电子技术基础（第四版）》（清华大学电子学教研组编写，童诗白、华成英主编）的配套习题全程辅导用书，本书除了有传统的辅导书的解题过程外，还有以下特点：
知识点窍：运用公式、定理及定义来点明知识点。
逻辑推理：阐述习题的解题过程。
解题过程：概念清晰、步骤完善、数据准确、附图齐全。
把知识点窍一逻辑推理一解题过程串联起来，做到融会贯通，最后给出教材的习题答案。在解题思路和解题技巧上进行精练分析和引导，巩固所学，达到单一反三的效果。
“知识点窍”和“逻辑推理”是本书的精华所在，是由多位著名教授根据学生答题的弱点进行分析而研究出来的一种新型的拓展思路的训练方法。“知识点窍”提纲挚领地抓住了题目的核心知识，让学生清楚地了解出题者的意图，而“逻辑推理”则注重引导学生思维，旨在培养学生科学的思维方法，并掌握答题的思维技巧。本书在此基础上，还提供了详细的“解题过程”，使学生熟悉整个答题过程。
由于编者水平有限及编写时间仓促，不妥之处在所难免，恳请广大读者批评指正。
文摘插图：
第一章常用半导体器件
重点内容提要
1.1 半导体基础知识
本征半导体
本征半导体就是完全纯净的具有晶体结构的半导体。
载流子：电子带负电，空穴带正电，在外电场作用下自由电子移动，相邻的价电子填补空穴而形成空穴移动，它们都能导电。
本征激发产生的自由电子和空穴成对出现，数量取决于环境温度高低。
杂质半导体——P型半导体和N型半导体
（1）P型半导体：在纯净半导体中掺入适量三价元素，形成空穴型（P型）半导体。它的导电能力大大高于本征半导体。其中空穴为多数载流子（简称“多子”），自由电子为少数载流子（简称“少子”）。
（2）N型半导体：在纯净半导体中掺入适量五价元素，形成自由电子型（N型）半导体。其中自由电子为“多子”，空穴为“少子”。
在两种杂质半导体中，整体上电量平衡，对外不显电性（不带静电）。
PN结
又称耗尽层，阻挡层，将两种杂质半导体结合在一起，由于界面两侧载流子浓度不同而产生载流子扩散运动。P型区空穴向N型区扩散，N型区自由电子向P型区扩散。在边界两侧两种载流子产生复合，形成带正电和负电的离子。在边界两侧形成空间电荷区，称为PN结。
（1）区内正、负离子带电而不能移动，载流子因复合而数量很少，因此电阻率很高。
（2）正、负离子形成的内电场阻止多子继续扩散。
（3）内电场对少子有吸引作用，形成少子的逆向运动，称为漂移。
（4）在没有外电场作用时，当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，两侧间没有电流，空间电荷区厚度不变。
（5）PN结正向导通，反向截止，即为单向导电性。
