IGBT实用备查手册
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作者： 阳鸿钧等编
出 版 社： 中国电力出版社
出版时间： 2008-5-1字数： 762000版次： 1页数： 571印刷时间： 2008/05/01开本： 16开印次： 1纸张： 胶版纸I S B N ： 9787508367002包装： 平装内容简介
本书是《半导体器件实用备查手册》系列书之一，本手册介绍了上千种IGBT的生产家、极限参数、电参数、尺寸图、外形图或内部等价图，这些均是从事电子行业实际工作中必备的珍贵资料。
本书广泛适用电子科技人员、各类电器设计人员、各类电器维修人员及相关学校的师生，是一本电子行业从业人员难得的工具书。
目录
前言
第1章IGBT概述
1.1内部构造
1.2符号、内部等效电路与参数
1.3分类
1.4厂家
1.5工作特性
1.6检修
1.7使用注意事项
1.8本书使用说明
第2章IGBT备查数据
2.1数字
2.1.1导查
2.1.2备查
2.2A类
2.2.1导查
2.2.2备查
2.3B类
2.3.1导查
2.3.2备查
2.4C类
2.4.1导查
2.4.2备查
2.5D类
2.5.1导查
2.5.2备查
2.6F类
2.6.1导查
2.6.2备查
2.7G类
2.7.1
2.7.2
2.8H类
2.8.1导查
2.8.2备查
2.9I类
2.9.1导查
2.9.2备查
2.10M类
2.10.1导查
2.10.2备查
2.11P类
2.11.1 导查
2.11.2 备查
2.12S类
2.12.1 导查
2.12.2 备查
2.13V类
2.13.1导查
2.13.2 备查
2.14其他IGBT参数
附录
附录1IGBT驱动器
附录2IGBT驱动器驱动IGBT特点
附录3专用IGBT
附录4富士R系列IGBT-IPM端子功能
附录5不同厂家IGBT对应表
书摘插图
第1章IGBT概述
IGBT是绝缘栅双极晶体管或者绝缘门极双极型晶体管的缩写，即Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT。绝缘栅双极晶体管本质上是一个场效应晶体管（FET），但是与场效应晶体管在应用、特点上还是存在一定的差异。
MOSFET场效应晶体管具有开关速度快、属于电压型控制等优点。双极功率晶体管能满足高耐压、大电流的要求等优点。但是，MOSFET场效应晶体管与双极功率晶体管均具有一些缺点。
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