我国砷化镓单晶生长技术进入世界领先行列
北京有色金属研究总院今天宣布，我国第一套蒸气压控制直拉法（VCZ法）晶体生长系统和工艺技术，成功拉制出国内第一根直径4英寸VCZ半绝缘砷化镓单晶，使我国成为继日本、德国之后第三个掌握此项技术的国家，这标志着我国砷化镓晶体生长技术进入世界领先行列。
“蒸气压控制直拉法生长半绝缘砷化镓单晶新技术研究”是有研总院承担的“九五”国家重点科技攻关项目，日前通过国家验收。这项成果可满足高品质超高频、超高速集成电路的要求。这套设备结构简单，拆装容易，便于产业化。
砷化镓（GａAｓ）是目前最重要、最成熟的化合物半导体材料，广泛应用于光电子和微电子领域。随着无线通讯、光纤通讯、汽车电子等产业的迅猛发展，砷化镓半导体产业进入前所未有的快速发展时期。
北京有色金属研究总院是我国重要的化合物半导体研发基地，已建成国内最大的砷化镓和磷化镓材料生产厂。“十五”期间，有研总院还将研究开发符合国际潮流的直径6英寸半绝缘砷化镓单晶炉和单晶生长技术。
