日本研究出两种半导体融合技术
日本科学家研究出一种把半导体硅与化合物半导体磷化镓融合在一起的技术，为制造可在一块芯片上处理电子、光和微波的光电子融合元件开辟了道路。
这一技术是由日本丰桥科技大学教授米津宏雄领导的科研小组研究成功的。硅半导体和化合物半导体在原子的排列间隔、热膨胀系数及界面的电子数量等方面是各不相同的，因此在把这两种物质融合在一起时，原子之间会产生缝隙，难以实现它们的一体化。
据米津教授公布的材料说，为使这两种不同的半导体实现晶体融合，他们采取了以下方法：一、在磷化镓里添加氮，以调整它的原子排列；二、在硅基板上构筑由失真量子阱、导波层和金属包层构成的量子阱结构；三、用硅层夹住磷化镓层。
半导体元件大致分为使用硅晶体的电子元件、使用化合物半导体的光元件和微波元件三种。米津教授研究成功的这种新的半导体材料，有可能把上述三种半导体元件制作在一块芯片上，使之能发挥出三种元件的功能。此外，它还能减少制造化合物半导体所不可缺少的砷、磷等有毒物质的使用量，有益于减少环境负荷。 （记者张可喜）
