广晟采用捷智0.18μm锗硅BiCMOS工艺推出WCDMA射频收发IC
广晟微电子有限公司日前宣布，该公司采用捷智半导体公司0.18μm锗硅BiCMOS工艺成功开发出可供商用的3G WCDMA无线手机射频收发芯片组。广晟微电子的WCDMA射频收发芯片组包括零中频接收芯片RS1007W和发射芯片RS1007RF,广晟微电子拥有该芯片组的全部知识产权。
RS1007W和RS1007RF为3G WCDMA无线手机射频前端芯片组提供了一套完整的方案。RS1007W使用先进的零中频结构，片内集成了低噪声放大器，下变频混频器，自动增益放大器，低通滤波器，Σ-△小数分频锁相环，压控振荡器，直流偏移校准电路，RC校准电路和I/Q不平衡校准电路。RS1007RF集成了具有直流偏移校准功能的低通滤波器，上变频混频器，可变增益放大器，Σ-△小数分频锁相环，压控振荡器及RC自动校准电路。它具有集成度高，低功耗，高性价比等优点。这两款芯片均采用5x5mm QFN28封装。
广晟微电子总工程师郑卫国表示，“捷智半导体公司的0.18μm锗硅BiCMOS工艺具有模型准确，价格便宜和优质服务等优点。由于捷智的工艺设计包涵盖了包括模拟，数模混合及数字元件等丰富的模型库，它优化了我们的产品设计。使用捷智的工艺技术加速了我们产品推向市场的设计时间，提高了我们的整体设计水平。我们对捷智的0.18μm锗硅BiCMOS工艺非常满意。我们计划在其他目标市场后续项目的开发上继续展开我们的合作如TD-SCDMA和GSM双频射频收发芯片、802.1x无线宽带射频收发芯片、以及高速光纤通讯IC芯片等。”
