Fujitsu 和 SuVolta 将 SRAM 模块电压压低到 0.425V

Dallas Semiconductor近日推出内置实时时钟(RTC)、采用单芯片表贴封装的非易失性SRAM(NVSRAM)模块—— DS3030/DS3045/DS3050/DS3065。在意外或不

到2007年，PC将要求DC－DC转换器能在0.95V提供高达200A的电流。飞兆半导体公司已开发出以多个模块组成的分布式电压调节模块（VRM），每个模块都能提供高达每相40A的电流，而效率超过80％

赛普拉斯半导体(Cypress Semiconductor)宣布推出首款非易失性SRAM(nvSRAM)，该存储器在断电情况下，无需电池就能实现内部数据存储。由于不再需要外部电池，因此赛普拉斯提供的符

赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor Corp.)近日宣布推出首款非易失性SRAM(nvSRAM)，该存储器在断电情况下，无需电池就能实现内部数据存储。由于不再需要外部电池，

东芝、IBM与AMD 12月17日共同发表新研发的立体型SRAM Cell，面积仅0.128平方微米，经测试可正常运作后，确定成为该类SRAM中全球最小的产品。 由于以hight-k金

无论是自动应答机、护照/身份验证设备，或者是便利店内的销售点终端，都有一些重要信息，例如口令、个人身份识别号(PIN)、密钥和专有加密算法等，需要特别保护以防失窃。金融服务领域采用了各种精细的策略和程

佟力永，肖山竹 1 引言 数控振荡器是数字通讯中调制解调单元必不可少的部分，同时也是各种数字频率合成器和数字信号发生器的核心。随着数字通信技术的发展，对传送数据的精度和速率要求越来越高。如

意法半导体（ST）宣称其所开发的rSRAM技术将在不过多增加芯片制造成本的前提下，有效消除嵌入式SRAM“软错误”对于电子设备可能造成的不良影响。 所谓的“软错误”是指由构成地球低强度背景辐射的核粒子

摘要：IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步双口静态存储器（SRAM），可实现不同传输方式的双路高速数据流的无损传输。文中详细介绍该电路的结构和原理，给出IDT70V9289的典型应用电