王朝网络

分享

 

01.Fujitsu 和 SuVolta 将 SRAM 模块电压压低到 0.425V
文章分类: 外围设备 今天传来一个好消息，富士通半导体 Fujitsu Semiconductor 和 SuVolta 联合宣布，已经成功地展示了在 0.425V 超低电压下（只有上一代的一半），SRAM（静态随机存储）模块可以正常运行。具体的细...查看完整版>>Fujitsu 和 SuVolta 将 SRAM 模块电压压低到 0.425V02.Dallas新型非易失性SRAM模块内置实时时钟
Dallas Semiconductor近日推出内置实时时钟(RTC)、采用单芯片表贴封装的非易失性SRAM(NVSRAM)模块—— DS3030/DS3045/DS3050/DS3065。在意外或不定期的掉电情况下，这些模块为保护重要数据提供了一种完全集成的便利方...查看完整版>>Dallas新型非易失性SRAM模块内置实时时钟03.用于CPU内核的分布式电压调节模块
到2007年，PC将要求DC－DC转换器能在0.95V提供高达200A的电流。飞兆半导体公司已开发出以多个模块组成的分布式电压调节模块（VRM），每个模块都能提供高达每相40A的电流，而效率超过80％。这样，可以利用5相设计（fi...查看完整版>>用于CPU内核的分布式电压调节模块04.东芝 IBM AMD研发世界最小SRAM Cell
东芝、IBM与AMD 12月17日共同发表新研发的立体型SRAM Cell，面积仅0.128平方微米，经测试可正常运作后，确定成为该类SRAM中全球最小的产品。 由于以hight-k金属闸（high-k/metal gate, HKMG）材料所开发的非...查看完整版>>东芝 IBM AMD研发世界最小SRAM Cell05.基于FPGA和SRAM的数控振荡器的设计与实现
佟力永，肖山竹 1 引言 数控振荡器是数字通讯中调制解调单元必不可少的部分，同时也是各种数字频率合成器和数字信号发生器的核心。随着数字通信技术的发展，对传送数据的精度和速率要求越来越高。如何得到可数控的高...查看完整版>>基于FPGA和SRAM的数控振荡器的设计与实现06.新架构SRAM消除“软错误”威胁
意法半导体（ST）宣称其所开发的rSRAM技术将在不过多增加芯片制造成本的前提下，有效消除嵌入式SRAM“软错误”对于电子设备可能造成的不良影响。所谓的“软错误”是指由构成地球低强度背景辐射的核粒子引起的芯片内部...查看完整版>>新架构SRAM消除“软错误”威胁07.首款72Mb QDR SRAM样片面市
Cypress公司日前推出业界密度和带宽最高的SRAM，并开始向客户提供其新型72Mb QDR-Ⅱ（四倍数据率）和DDR－Ⅱ（双倍数据率）系列器件样片。Cypress推出的这些新型存储器芯片实现了高达50%的系统级带宽增幅，并使各种数...查看完整版>>首款72Mb QDR SRAM样片面市08.边界扫描SRAM簇板级互连测试研究
1 引言 边界扫描技术已成为了VLSI和ASIC测试的重要方法，但是，尽管边界扫描器件越来越多，非边界扫描器件仍然大量存在。在复杂电路设计中，VLSI和ASIC虽然能够完成电路的许多功能，但并不是所有的逻辑功能都可以集成...查看完整版>>边界扫描SRAM簇板级互连测试研究09.IDT70V9289型高速同步双口SRAM的原理及应用
摘要：IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步双口静态存储器（SRAM），可实现不同传输方式的双路高速数据流的无损传输。文中详细介绍该电路的结构和原理，给出IDT70V9289的典型应用电路及设计时应注意的问题。 关...查看完整版>>IDT70V9289型高速同步双口SRAM的原理及应用10.英飞凌新款GSM芯片单片集成了射频，基带，SRAM和电源管理
英飞凌科技近日宣布其首款E-GOLDvoice芯片在其德勒斯登厂首度制造及测试便获得成功，而且已经用于 GSM网络的电话通信。该公司称E-GOLDvoice是移动电话技术中整合度最高的芯片，在8x8平方亳米的面积内结合移动电话所有...查看完整版>>英飞凌新款GSM芯片单片集成了射频，基带，SRAM和电源管理

 

 

免责声明：本文为网络用户发布，其观点仅代表作者个人观点，与本站无关，本站仅提供信息存储服务。文中陈述内容未经本站证实，其真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容。