微纳米MOS器件可靠性与失效机理
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作者： 郝跃，刘红侠 著
出 版 社： 科学出版社
出版时间： 2008-3-1字数： 546000版次： 1页数： 446印刷时间： 2008/03/01开本： 16开印次： 1纸张： 胶版纸I S B N ： 9787030205865包装： 精装编辑推荐
本书主要介绍了微纳MOS器件失效机理与可靠性理论，目的是为读者在微电子器件可靠性理论和微电子器件的使用之间建立联系，向读者提供一些微纳MOS器件的主要可靠性问题和相应的解决办法。全书共分为11章，第1章讲述了超大规模集成电路的可靠性研究现状，提出超大规模集成电路面临的主要可靠性问题；第2章描述了MOS器件的热载流子效应和相应的栅电流、衬底电流和沟道电流的分布建模；第3章分析了MOS器件中的热载流子损伤特性，建立了MOS器件的寿命模型；第4章研究了薄栅氧化层的可靠性，提出了超薄栅氧化层TDDB效应的表征方法；第5章研究了微纳MOS器件的NBTI效应以及NBTI效应对MOS器件和模拟电路及数字电路的影响；第6章主要研究了微纳NMOS器件的各种耦合失效模式；第7章讨论了等离子体工艺及器件诱生失效，提出了减小等离子体损伤的方法；第8章研究了CMOS器件的ESD的潜在损伤和损伤机理；第9章研究了铜互连的基本理论和ULSI中铜互连可靠性相关技术；第10章针对上述各种失效机制，提出了微纳MOS器件可靠性加固方法；第11章建立了实用的半导体集成电路可靠性系统仿真平台。
内容简介
本书主要介绍了微纳米MOS器件的失效机理与可靠性理论，目的是在微电子器件可靠性理论和微电子器件的设计与应用之间建立联系，阐述微纳米MOS器件的主要可靠性问题和系统的解决方法。全书论述了超大规模集成电路的可靠性研究现状，提出超大规模集成电路面临的主要可靠性问题；描述了微纳米MOS器件的主要失效机理和可靠性问题，以及上述各种失效机制的可靠性加固方法等，也是作者十余年在该领域从事的科学研究和国内外相关研究的部分总结。
本书可作为微电子专业高年级本科生以及研究生的教学参考书，对从事微纳米MOS器件可靠性和集成电路设计与研究的科学家和工程师也有重要参考价值，信息领域等其他专业的科技人员也可从本书中了解微电子可靠性技术的进展和一般的分析方法。
目录
序
前言
第1章 VLSI发展与可靠性研究进展
1.1 VLSI的发展规律
1.2 VLSI的主要可靠性问题
1.3 VLSI的可靠性研究现状
1.3.1 微纳MOS器件的热载流子效应
1.3.2 微纳MOS器件的NBTI效应
1.3.3 SOI器件的可靠性问题
1.3.4 超薄栅氧化层介质的可靠性
1.3.5 静电损伤和闩锁效应
1.3.6 ULSI中铜互连可靠性相关技术
1.3.7 非挥发性存储器的可靠性
1.3.8 等离子体工艺的可靠性
1.3.9 封装与装配可靠性
1.3.10 微电子机械系统和化合物半导体可靠性
1.3.11 VLSI失效分析技术
1.3.12 VLSI可靠性仿真技术
参考文献
第2章 微纳米MOS器件的热载流子效应
2.1 MOS器件的热载流子效应
2.2 微纳MOS器件的热载流子效应
2.3 动态应力下MOS器件的热载流子效应
2.4 热载流子效应的测量和表征技术
2.4.1 电流-电压特性测试
2.4.2 电荷泵测试
2.4.3 衬底热载流子效应测试
2.5 nMOS器件的衬底电流和沟道电流分布建模
2.5.1 幸运热载流子模型
2.5.2 沟道电流和衬底电流的二维分布建模
2.5.3 沟道电流和衬底电流二维分布模型的计算与比较
2.6 nMOS器件的栅电流分布建模
2.6.1发射电流和栅电流分布模型
2.6.2 nMOS器件的电子栅电流分布建模
2.6.3 nMOS器件的空穴栅电流分布建模
2.6.4 模型涉及参量的修正与选择
2.6.5 发射电流和栅电流的分布特性
2.7 nMOS器件的高温热载流子退化
2.7.1 nMOS器件的高温热载流子退化
2.7.2 pMOS器件的高温热载流子退化
2.7.3 标准0.18umCMOS工艺的高温可靠性测试标准
2.8 超深亚微米LDD MOS器件模型
2.8.1 LDD nMOS器件的本征电流、电压特性模型
2.8.2 LDD nMOS器件的源漏串联电阻模型
2.8.3 亚阈区模型
2.8.4 模拟结果与分析
参考文献
第3章 MOS器件的热载流子损伤特性及物理模型
3.1 pMOS器件损伤电子栅电流模型的建立及验证
3.1.1 电子栅电流模型的建立
3.1.2 电子栅电流模型的验证
3.2 模型揭示的器件损伤特性
3.2.1 陷入电子电荷分布特性
3.2.2 损伤电子栅电流分布特性
3.2.3 应力期间电子栅电流的拐角特性
3.3 建立器件寿命物理模型的必要性
3.4 界面态产生动力学模型新解
3.5 pMOS线性区器件损伤与寿命的物理模型
3.5.1 线性区漏源电流表征的器件损伤与寿命
3.5.2 线性区跨导表征的器件损伤与寿命
3.6 pMOS饱和区器件损伤与寿命的物理模型
3.6.1 饱和区漏源电流表征的器件损伤与寿命
3.6.2 饱和区跨导表征的器件损伤与寿命
3.7 注入电荷总量表征的pMOS器件寿命物理模型
3.8 热载流子效应诱生的nMOS器件损伤
……
第4章 超薄栅氧化层的经时击穿效应
第5章 微纳米MOS器件的NBTI效应
第6章 微纳米MOS器件的耦合效应
第7章 等离子体工艺及诱生的器件失效
第8章 CMOS器件的ESD与损伤机理
第9章 ULSI中铜互连可靠性相关技术
第10章 微纳米MOS器件的可靠性加固方法
第11章 VLSI可靠性评价与估计
书摘插图
第1章 VLSI发展与可靠性研究进展
1.1 VLSI的发展规律
超大规模集成电路（VLSI，very large scale integration）无论从其发展速度和对人类社会生产、生活的影响，都可以说是科学技术史上空前的，集成电路技术已经成为整个信息产业的基础和核心。在全球信息产业飞速发展，知识经济初见端倪，现代化建设中尖端技术不断涌现的今天，集成电路技术比以往任何时候都显示出其重要的战略意义。集成电路的发展已经成为推动国民经济增长的动力之一，集成电路的可靠性也已经成为集成电路发展的重要指标。
……
