英特尔宣布突破NAND闪存20纳米加工工艺极限

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英特尔宣布突破NAND闪存20纳米加工工艺极限

赛迪网讯10月29日消息,据国外媒体报道,英特尔和芯片技术公司Numonyx本周三发布了一项新技术。这两家公司称,这种新技术将使非易失性存储器突破NAND闪存的20纳米的极限,使加工工艺缩小到5纳

英特尔宣布突破NAND闪存20纳米加工工艺极限

【赛迪网讯】10月29日消息,据国外媒体报道,英特尔和芯片技术公司Numonyx本周三发布了一项新技术。这两家公司称,这种新技术将使非易失性存储器突破NAND闪存的20纳米的极限,使加工工艺缩小到5纳

英特尔与美光科技将合推25纳米NAND闪存

【赛迪网讯】2月2日消息,据国外媒体报道,英特尔公司与美国美光科技(Micron)有望在近日合作推出全球首款25纳米的NAND闪存。 根据英特尔公司与美国美光科技对外发布的讯息,这种25纳米、容量达到

英特尔美光将推出25纳米NAND闪存芯片

【赛迪网讯】2月1日消息,据国外媒体报道,英特尔和美光科技星期一预计将宣布这两家公司将推出全球第一个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品,预计将在2010年下半

英特尔美光联合推出34纳米闪存芯片

【赛迪网讯】8月12消息,英特尔和美光科技周二发布了用于闪存卡和优盘的高数据容量闪存技术。这两家公司称,他们已经开发出了基于34纳米技术的NAND闪存芯片,存储容量为每个储存单元3比特。这个存储密度高

英特尔美光将投入开发x3 NAND芯片 Q4量产

【赛迪网讯】8月12日消息,合作闪存芯片业务的英特尔及美光(Micron Technology Inc.)周二宣布,将投入开发高容量的3-bit-per-cell(x3)NAND闪存芯片,用于U盘等设

英特尔宣布将投产全球最新移动处理器 — IT产品

日前,英特尔宣布将在成都投产最先进2010全新酷睿处理器,并追加投资2000万美元。 英特尔宣布:将在成都工厂投产最先进2010全新酷睿处理器,并在近期内将企业员工从现有的3000人扩大到3500

英特尔本月将推出32纳米6核Core i7-980X处理器

【赛迪网讯】英特尔将在几个星期之内推出适用于3D密集型游戏的6核处理器。据业内消息灵通人士称,英特尔将在下个星期举行的2010年游戏开发商会议上首次展示这种芯片运行3D密集型游戏《拿破仑:全面战争》。

英特尔32纳米处理器2年内赶超45纳米占有率

新年伊始,英特尔在北京推出了全新酷睿处理器家族:酷睿i7、i5、i3处理器,这是英特尔首批32纳米处理器。其中,i5、i3两大系列处理器集成了显卡,这意味着消费者购买装有这两大系列处理器的电脑时,

英特尔全新32纳米酷睿i5/i3处理器全面测试 — IT产品

本文编译自国外硬件评测媒体AnandTech。 纵观历史,这应该是Intel新架构在市场上普及耗时最长的一次了。2008年11月3日,Nehalem架构以Bloomfield高端四核心的形式第

 
 
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