IGBT场效应半导体功率器件导论
IGBT场效应半导体功率器件导论作者： 袁寿财著 出 版 社： 科学出版社 出版时间： 2008-1-1字数： 256000版次： 1页数： 209印刷时间： 2008/01/01开本： 16开印次： 1纸张： 胶版纸I S B N
基本信息出版社:电子科技大学出版社 (2010年1月1日)平装ISBN:9787564704391条形码:9787564704391ASIN:B0049SP77A
功率半导体:器件与应用(国际电气工程先进技术译丛)(Power semiconductors)基本信息·出版社：机械工业出版社 ·页码：187 页 ·出版日期：2009年 ·ISBN：7111257286/9787111257288 ·条形码：9787111257288 ·包装版本：1版 ·
功率半导体——器件与应用作者： （瑞士）林德著，肖曦，李虹等译 出 版 社： 机械工业出版社 出版时间： 2009-2-1字数： 239000版次： 1页数： 188印刷时间： 2009-02-01开本： 16开印次： 1纸
功率半导体器件:理论及应用基本信息·出版社：化学工业出版社 ·页码：357 页 ·出版日期：2005年 ·ISBN：7502568026 ·条形码：9787502568023 ·包装版本：2005-05-01 ·装帧：平装
基本信息出版社:电子工业出版社; 第01版丛书名:国外电子与通信教材系列其他:584页ISBN:9787121112546条形码:9787121112546ASIN:B003XKCWJ6
基本信息出版社:电子工业出版社; 第01版丛书名:国外电子与通信教材系列其他:544页ISBN:9787121111808条形码:9787121111808ASIN:B003VM6I4G
基本信息出版社:科学出版社; 第01版丛书名:21世纪电子电气工程师系列其他:196页开本:A5ASIN:B003UMAHQW
半导体器件物理与工艺(第2版)基本信息·出版社：苏州大学出版社 ·页码：543 页 ·出版日期：2003年 ·ISBN：7810900153 ·条形码：9787810900157 ·包装版本：第1版 ·装帧：平装 ·开本：16开
Breakdown Phenomena in Semiconductors and Semiconductor Devices (Selected Topics in Electronics and半导体与半导体器件中的击穿现象作者： Michael Levinshtein等著 出 版 社： 出版时间： 2005-9-1字数：版次： 1页数： 208印刷时间： 2005/09/01开本： 16开印次： 1纸张： 胶版纸I S