金属有机化合物气相外延基础及应用
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作者： 陆大成，段树坤著
出 版 社： 科学出版社
出版时间： 2009-5-1字数：版次： 1页数： 361印刷时间：开本： 16开印次： 1纸张：I S B N ： 9787030238450包装： 精装内容简介
金属有机化合物气相处延(MOVPE)技术是制备化合物半导体异质结、低维结构材料，以及生产化合物半导体光电子、微电子器件的重要方法。本书是国内第一本全面系统地介绍MOVPE的专著，从理论和实践两个方面分别论述了该技术的生长系统和原材料特性等实验基础、MOVPE生长热力学、化学反应动力学和输运现象等理论基础。在此基础上系统介绍了Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料生长及其量子阱、量子点等低维结构的MOVPE生长，以及在光电器件和电子器件方面的应用。书中附有大量参考文献，以便读者进一步参考。
本书可供从事半导体科研和生产的科研人员、大专院校教师和研究生使用。
目录
前言
第1章绪论
1.1 外延生长
1.2 MOVPE概述
参考文献
第2章 MOVPE生长系统
2.1 MOVPE气体输运分系统
2.2 MOVPE生长反应室分系统
2.3 MOVPE尾气处理分系统
2.4 MOVPE生长控制装置分系统
2.5 MOVPE外延层生长的原位监测
参考文献
第3章 原材料
3.1 金属有机化合物源
3.2 氢化物源
参考文献
第4章 MOVPE的热力学分析
4.1 外延生长速度的限制机构
4.2 MOVPE生长的固溶体固相成分与气相成分关系
4.3 MOVPE生长相图与单凝聚相生长区
4.4 掺杂
参考文献
第5章 MOVPE化学反应动力学和质量输运
5.1 MOVPE化学反应动力学
5.2 MOVPE反应室内的输运现象与模型化
5.3 MOVPE化学反应一输运模型的应用
参考文献
第6章 MOVPE的表面过程
6.1 表面成核
6.2 外延生长模式
6.3 MOVPE环境下的表面再构
6.4 表面活性剂
参考文献
第7章 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的MOVPE生长
7.1 GaAs及其固溶体的MOVPE生长
7.2 InP、GaP及其有关化合物的MOVPE生长
7.3 锑化物的MOVPE生长
7.4 氮化物的MOVPE生长
7.5 选择外延生长和非平面衬底上的外延生长
7.6 Si、Ge上Ⅲ-Ⅴ族半导体的MOVPE生长
参考文献
第8章 Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的MOVPE生长
8.1 ZnSe及其有关化合物的MOVPE生长
8.2 ZnO及其固溶体的MOVPE生长
8.3 HgCdTe的MOVPE生长
参考文献
第9章 低维半导体材料的MOVPE生长
9.1 量子阱结构的MOVPE生长
9.2 量子点和量子线结构的生长
参考文献
第10章 MOVPE技术在半导体器件方面的应用
10.1 发光二极管
10.2 激光器
10.3 太阳能电池
10.4 半导体光探测器
10.5 高电子迁移率场效应晶体管
10.6 异质结双极晶体管
10.7 光电集成电路
参考文献
后记
书摘插图
第2章MOVPE生成系统
2.1 MOVPE气体输运分系统
气体输运分系统的功能是向反应室内输运各种反应剂，并精确控制其计量、送入的时间和顺序以及流过反应室的总气体流速等，以便生长特定成分与结构的外延层。气体输运分系统由载气供应子系统、氢化物供应子系统、M0源供应子系统和特殊设计的生长／放空多路组合阀等组成。
2.1.1 载气供应子系统
载气的作用是把反应剂输运到反应室。载气供应子系统包括氢气和氮气钢瓶、压力调节阀、氢气和氮气的提纯器等。氢气易于提纯，并且具有还原性成为最广泛使用的载气。需要注意的是H2遇空气可能形成易燃、易爆的混合气。N2的作用除了和H2一样作为载气外，还利用它的惰性，在装卸衬底、更换源瓶、或维修设备打开系统前，用氮气置换系统中的氢气。
MOVPE生长系统使用的载气需要很高的纯度。氢气提纯普遍使用钯合金扩散纯化器，利用在300～400。C只有氢气能扩散通过钯合金的特点，将氢气中的杂质，诸如02、H20、C0、C02、N2和所有碳氢化合物，都降到
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