CMOS 电路设计、布局与仿真（第2版·第1卷）
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作者： （美）贝克（Bader，R.J.）著，刘艳艳等译
出 版 社： 人民邮电出版社
出版时间： 2008-4-1字数： 742000版次： 1页数： 556印刷时间： 2008/04/01开本： 16开印次： 1纸张： 胶版纸I S B N ： 9787115174468包装： 平装编辑推荐
“全新的业界视角。强调使用SPICE仿真和设计电路、实例丰富。目前教材中很少能够讲述这么详细和深入的，强烈推荐！”
——Paul M.Furth，新墨西哥州立大学
“本书为读者建立了CMOS电路设计的牢固基础，书中既有对基本概念的详尽介绍，也有对各种电路拓扑的深入分析，对于初出茅庐的设计者和经验丰富的设计师而言都是很好的参考。”
——Tyler J.Gomm Micron技术公司设计工程师
内容简介
本书是CMOS集成电路设计领域的一部力作，是作者20多年教学和研究成果的总结，内容涵盖电路设计流程、EDA软件、工艺集成、器件、模型、数字和模拟集成电路设计等诸多方面，由基础到前沿，由浅入深,结构合理，特色鲜明。
本书对学生、科研人员和工程师各有所侧重。无论对于哪一种类型的读者而言，本书都是一本极好的参考书。
目录
第1章CMOS设计简介
1.1CMOS集成电路设计流程
1.2CMOS基础
1.2.1CMOS缩写
1.2.2CMOS倒相器
1.2.3第一款CMOS电路
1.2.4模拟CMOS设计
1.3SPICE简介
1.3.1生成网表
1.3.2工作点
1.3.3传输函数分析
1.3.4压控电压源
1.3.5理想运算放大器
1.3.6子电路
1.3.7直流分析
1.3.8绘制IV曲线
1.3.9双环直流分析
1.3.10瞬态分析
1.3.11SIN源
1.3.12RC电路实例
1.3.13另一种RC电路实例
1.3.14交流分析
1.3.15十倍频程和倍频程
1.3.16分贝
1.3.17脉冲语句
1.3.18有限脉冲上升时间
1.3.19阶跃响应
1.3.20RC电路的延迟与上升时间
1.3.21分段线性源
1.3.22仿真开关
1.3.23电容的初始化条件
1.3.24电感的初始化条件
1.3.25LC回路的Q值
1.3.26理想积分器的频率响应
1.3.27单位增益频率
1.3.28积分器的时域特性
1.3.29收敛性
1.3.30一些常见的错误和有用的技巧
延伸阅读
习题
第2章阱
2.1图形制作
2.2N阱的版图设计
2.3阻值的计算
2.4N阱/衬底二极管
2.4.1PN结物理学简介
2.4.2耗尽层电容
2.4.3存储或扩散电容
2.4.4SPICE建模
2.5N阱的RC延迟
2.6双阱工艺
延伸阅读
习题
第3章金属层
3.1连接焊盘
3.2用金属层进行设计和版图绘制
3.2.1metal1和via1
3.2.2与金属层相关的寄生器件
3.2.3电流运载极限
3.2.4金属层的设计规则
3.2.5接触电阻
3.3串扰和地电位上跳
3.3.1串扰
3.3.2地电位上跳
3.4LASI版图设计实例
3.4.1连接焊盘的版图设计Ⅱ
3.4.2金属测试结构的版图设计
延伸阅读
习题
第4章有源层和多晶硅层
第5章电阻、电容、MOS管
第6章MOS管工作原理
第7章CMOS制备
第8章电噪声概述
第9章模拟设计模型
第10章数字设计模型
第11章反相器
第12章静态逻辑门
第13章钟控电路
第14章动态逻辑门
第15章VLSI版图设计举例
第16章存储器电路
第17章Δ∑调制感测
第18章专用CMOS电路
第19章数字锁相环
