半导体器件：计算和电信中的应用
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作者： （美）布伦南著，高建军，刘新宇译
出 版 社： 机械工业出版社
出版时间： 2010-5-1字数：版次： 1页数： 188印刷时间： 2010-5-1开本： 16开印次： 1纸张： 胶版纸I S B N ： 9787111298366包装： 平装
本书从半导体基础开始，介绍了目前电信和计算产业中半导体器件的发展现状，在器件方面为电子工程提供了坚实的基础。内容涵盖未来计算硬件和射频功率放大器的实现方法，阐述了计算和电信的发展趋势和系统要求对半导体器件的选择、设计及工作特性的影响。
本书首先讨论了半导体的基本特性；接着介绍了基本的场效应器件MODFET和MOSFET，以及器件尺寸不断缩小所带来的短沟道效应和面临的挑战；最后讨论了光波和无线电信系统中半导体器件的结构、特性及其工作条件。
本书不仅可以作为研究生教材，也可为本领域工程师和研究人员提供参考。
Kevin F.Brennan，曾获得美国国家科学基金会的青年科学家奖。2002年被佐治亚理工大学ECE学院任命为杰出教授，同年还获得特别贡献奖，以表彰他对研究生教育所作出的贡献。2003年，他获得佐治亚理工大学教职会员最高荣誉——杰出教授奖。他还是IEEE电子器件学会杰出讲师。
译者序
前言
第1章半导体基础
1.1半导体的定义
1.2平衡载流子浓度与本征材料
1.3杂质半导体材料
思考题
第2章载流子的运动
2.1载流子的漂移运动与扩散运动
2.2产生-复合
2.3连续性方程及其解
思考题
第3章结
3.1处于平衡状态的pn结
3.2不同偏压下的同质pn结
3.3理想二极管行为的偏离
3.4载流子的注入、拉出、电荷控制分析及电容
3.5肖特基势垒
思考题
第4章双极结型晶体管
4.1BJT工作原理
4.2BJT的二阶效应
4.2.1基区漂移
4.2.2基区宽度调制/Early效应
4.2.3雪崩击穿
4.3BJT的高频特性
思考题
第5章结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管
5.1JFET工作原理
5.2MESFET和MODFET工作原理
5.3JFET和MESFET的定量描述
5.4JFET小信号模型
思考题
第6章金属-绝缘体-半导体结构和MOSFET
6.1平衡态下的MIS系统
6.2加偏压时的MIS结构
6.3MOSFET的基本工作原理
6.4MESFET和MOSFET的小信号特性
6.5CMOS电路
思考题
第7章短沟道效应及其对CMOS的挑战
7.1短沟道效应
7.2尺寸缩小理论
7.3CMOS进一步小型化中遇到的挑战
思考题
第8章超越CMOS
8.1超越CMOS之外的发展
8.2碳纳米管
8.3传统计算与感知计算、分子和生物计算
8.4分子电子学——分子二极管和二极管—二极管逻辑门
8.5容错计算
8.6量子原胞自动机
思考题
第9章电信系统概述
9.1光纤传输
9.2放大器与中继器
9.3移动蜂窝电信系统
9.4蜂窝系统的器件类型
第10章光电器件——发射器、光放大器和探测器
10.1发光二极管
10.2受激发射
10.3激光器工作原理
10.4半导体激光器的类型
10.5掺铒光纤放大器
10.6半导体光放大器
10.7p-i-n光电探测器
10.8雪崩二极管
思考题
第11章无线系统中高频大功率晶体管
11.1无线传输系统中晶体管的特性
11.2异质结
11.3MODFET器件
11.4异质结双极晶体管（HBTs）
11.5宽带隙半导体
思考题
参考书目
