纳米管存储器工业样品明年夏天问世
2005年10月8日讯 美国Nantero公司推出一种利用纳米工艺制成的新型计算机存储器——NRAM。
两年前曾报道过Nantero公司的这项研究，但当时只是停留理论研究或在图片上，而现在说的是真实 “金属内”的样品，并准备批量生产。有关NRAM存储器的细节暂时还没有公开。
NRAM存储器的关键元件是直径比人头发细10万倍的碳纳米管，管壁厚度仅为一个原子。新型存储器中的几十亿个纳米管被安放在硅片表面，确切地说，由这些纳米管组成直径以纳米计的大量扁平带，在芯片电极之间悬挂成桥路，在每条这样桥路的中心下面都有一个电极。
在加上电压时纳米扁平带会向下弯曲与第三个电极接触，第三个电极会“扫描”碳纳米桥路的状态，同时关断电源不会影响扁平带的位置，它仍然处于原来的状态。这一稳定性在机械压力与作用在该系统上范德瓦尔斯力之间达到精细的平衡。因此以二进制密码记录信息，扁平带向上的位置表示0，向下的位置表示1。
Nantero公司已经研制出13厘米圆型芯片，能储存10千兆比特信息。目前NRAM存储器发明者正在完善生产工艺规程细节，以便今后将新型芯片推向市场。为了组织大批量生产新型芯片，Nantero公司将与美国生产微电路和半导体装置的LSI Logic公司合作，第一批NRAM工业样品应在2006年夏天问世。