锑碲造新型内存断电不丢数据 比闪存快百倍

飞利浦日前发布消息，称它已找到生产新型相位转换式（Phase Changing）内存的材料——锑（Antimonyh）及碲（Tellurium），用这两种元素制造的新型内存体积更小，能以50纳米工艺制造，而且工作电压低于现有内存产品，非常合适内置在系统单芯片（SoC）中。

据路透社报道，飞利浦目前尚未透露了这种新型相位转换式内存的技术细节，只是公布了一些性能指标，如这种内存制造成本低廉，它的读写速度约为目前闪存的100～200倍，它属于非挥发性内存，这意味着切断电源后它内部存储的数据也不会丢失。

目前，几乎所有的DRAM制造商都在寻找新型材料来制造内存，他们的目标都是要开发出存取速度与闪存一样快、存储容量像DRAM一样大、又能像闪存一样断电后不丢失数据、而且制造成本低廉的内存。