英特尔首推34纳米NAND闪存固态硬盘

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英特尔首推34纳米NAND闪存固态硬盘

英特尔公司已经开始采用更为先进的34纳米生产流程制造其领先的NAND闪存固态硬盘(SSD)。SSD是电脑硬盘的替代品。凭借更小的芯片尺寸和先进的工程设计,34 纳米产品将使SSD的价格(与一年前推

英特尔推出业内首款34纳米NAND闪存固态硬盘

2009年7月21日,加利福尼亚州圣克拉拉 – 英特尔公司已经开始采用更为先进的34纳米生产流程制造其领先的NAND闪存固态硬盘(SSD)。SSD是电脑硬盘的替代品。凭借更小的芯片尺寸和先进的工程

英特尔推业内首款34纳米NAND闪存SSD

2009年7月21日,加利福尼亚州圣克拉拉 – 英特尔公司已经开始采用更为先进的34纳米生产流程制造其领先的NAND闪存固态硬盘(SSD)。SSD是电脑硬盘的替代品。凭借更小的芯片尺寸和先进的工程

iPhone 5或将采用东芝24纳米NAND闪存

东芝于本周二发布了24纳米工艺SmartNAND系列闪存。而这一产品很有可能将应用于苹果iPhone5中。 单条SmartNAND闪存最大存储容量为64GB,适用于媒体播放器

Pliant首推固态硬盘 读取速度突破500MB/s

近日,磁盘驱动器初创公司Pliant Technology推出了其首个固态硬盘系列企业级产品Lightning LB和Lightning LS,由于采用了SAS接口,两款硬盘的读取和写入速度有了较

传英特尔推320GB固态硬盘 采用34纳米闪存芯片

6月30日消息,有传言称英特尔将于两周后推新款固态硬盘。 据国外媒体报道称,消息人士称,新款固态硬盘将使用由英特尔和美光联合开发的34纳米NAND闪存芯片,容量高达320GB。工艺越先进

英特尔联合美光研发NAND闪存技术

据国外媒体报道,英特尔和美光科技于近日公布了一项高速的NAND闪存技术,传输速度是现有NAND闪存的5倍之多。 这项高速NAND闪存技术是由英特尔和美光共同开发而成,该技术符合最新的接口规

英特尔美光推20纳米级NAND芯片 下半年量产

4月16日消息,据国外媒体报道,英特尔和美光周四推出一种新型闪存存储制造技术,这一技术使电子存储芯片设计更加密集化,有利于缩小产品占据的空间。此款20纳米级的 NAND芯片产品估计可在今年下半年大

分析称闪存价格走低 固态硬盘有望普及

分析机构iSuppli日前公布报告称,NAND闪存价格将在今年年底回到每GB 1美元的关键点位,固态硬盘价格将随之下降,迎来挑战机械硬盘的新契机。 该报告预计,3-bit-per-cell(TLC

闪电出击 英特尔160GB固态硬盘出货

之前我们刚报道过一则有关东芝将于明年推出512GB SSD产品的消息,日前我们又了解到,英特尔公司已于本月22日宣布,该公司生产的160GB固态硬盘(SSD)已经开始向笔记本制造商供货。该款固态硬

 
 
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