新研发石墨烯内存 密度为闪存两倍

石墨烯是由未卷成纳米管的纯碳原子薄膜所构成，IBM先前曾采用石墨烯开发超快速晶体管原型。莱斯大学由教授James Tour所率领的研究小组，则是首次将石墨烯应用于架构更简单的两端点内存组件。

「我们迄今所量测到的最快石墨烯晶体管速度为26GHz，闸极(gate)长度则为150纳米。」IBM院士、该公司纳米科技部门经理Phaedon Avouris表示：「由于峰值频率会与闸极长度成反比，

三星近日透露了其研制出的第一个64 Gigabit（Gb，千兆位，合8GB）的多级单元（ MLC ）NAND闪存芯片——其采用目前世界领先的30纳米（nm）级的工艺技术。该闪存芯片可以多个组合并成

据国外媒体报道，英特尔和美光科技于近日公布了一项高速的NAND闪存技术，传输速度是现有NAND闪存的5倍之多。 这项高速NAND闪存技术是由英特尔和美光共同开发而成，该技术符合最新的接口规

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12月12日消息，日前，一个科学家小组正式对外界宣布，已经成功开发出全新的电脑内存技术，该技术将对未来的消费者电子设备领域带来翻天覆地的改变。据法新社报道，这个科学家小组来自于IBM、Macronix

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